Bipolar Transistor Biasing

등록일 1999.02.12 한글 (hwp) | 16페이지 | 무료

본문내용

목적:이 경험을 통해서 우리를 할수 있다.
1.base bias,voltage-divider bias,collector feedback bias의 세가지 바이어스를
구조 분석한다.
2.목적 1의 다른 트랜지스터의 회로의 경과를 비교한다.
3.각기 다른 바이어스에서 저항에 의헤 충당한다.
이론 요약
1.베이스 바이어서
베이스-이미터 접합을 바이어스 하기 위해서는 별도의 전지 VBB 를 사용하였다.
더 실용적인 방법은 그림 5-9(A)와 같이 단일 바이어스 전원 VCC를 사용하는 것이다.
구성을 간단하기 위해그림 5-9(B)와 같은 전지 기호를 생략하고 전압을 표시하며나타낼수 있다.
선형 해석에 의한 그림 5-9의 해석은 다음과 같다.


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